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    配線基板具有：核心基板部、絕緣層、第2配線、及為通孔糊之硬化物之介層。通孔糊具有：第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑、未硬化樹脂混合物、及導電粒子。第1潛伏硬化劑之軟化溫度與第2潛伏硬化劑之軟化溫度皆為40℃以上、200℃以下，第1潛伏硬化劑之軟化溫度與第2潛伏硬化劑之軟化溫度之差為10℃以上、140℃以下。
    公开号:TW201309118A
    申请号:TW101120884
    申请日:2012-06-11
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Tetsuro Kubo；Tsuyoshi Himori；Shogo Hirai
    申请人:Panasonic Corp；
    IPC主号:H05K1-00
    专利说明:
    配線基板與配線基板之製造方法 發明領域
    本發明係有關於一種具有用以連接形成於絕緣樹脂層之2個配線間之介層孔導體之配線基板及該配線基板之製造方法。特別是有關於一種具有可在任意位置將多層配線層間連接之介層糊的配線基板。 發明背景
    以往，已知的是連接有形成於絕緣樹脂層之2個配線間之多層配線基板。此種層間連接之方法已知的是，設置導電性糊填充於形成於絕緣樹脂層之孔而形成之介層孔導體。
    將導電性糊作為介層孔導體使用時，介層孔導體內之未硬化狀態之導電性糊會與半硬化狀態之預浸體一起硬化。因此，導電性糊之硬化有時候會受預浸體中所含之樹脂的影響(軟化、流動等)。
    第22A圖~第24C圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。使用第22A圖~第24C圖說明習知之配線基板之製造方法。
    首先如第22A圖所示，於預浸體2之兩面形成保護膜1。
    其次如第22B圖所示，於預浸體2與保護膜1形成孔3。
    其次如第22C圖所示，使刮漿板5在保護膜1上朝箭頭6之方向移動，並於形成於預浸體2之孔3填充介層糊4。
    其次如第23A圖所示，藉剝離保護膜1，在將介層糊4之一部份作為突出部7之預浸體2的兩面設置銅箔8，並如箭頭6所示，進行加壓、加熱，使之一體化。
    其次如第23B圖所示，分別形成介層糊4硬化而構成之介層11、及預浸體2硬化而構成之絕緣層10。
    其次如第23C圖所示，將固定於絕緣層10之表面之銅箔8蝕刻，形成配線12。在設置於核心基板部13之表面之複數配線12間存在間隙14。
    其次如第24A圖所示，將設有由介層糊4構成之突出部7之預浸體2、及銅箔8積層於設置在核心基板部13之表面之配線12上。
    其次如第24B圖所示，預浸體2之一部份如箭頭6b所示般流動，而填入配線12之間隙14。關於第24B圖之輔助線15所示之部分，使用第24C圖進一步詳細說明。
    第24C圖係顯示經加熱而軟化之預浸體2之一部份如箭頭6b所示般流動，填入複數之配線12間之間隙14時，介層糊4之一部份會流動，形成變形之介層16的樣態。
    由於因加熱而軟化之預浸體2使介層糊4流動，因此配線12間之間隙14會因由兩側往箭頭6b所示般流入之介層(變形之介層16)而變狹窄。例如，箭頭6d所示之間隔縮小成箭頭6c所示之間隔。
    由於要對應於使配線基板減薄之要求與期望，宜使預浸體2變薄。然而使預浸體2愈薄，要使配線12間平坦變得困難，因此要求預浸體2之進一步的流動化。配線基板愈薄，進而愈為微細圖案化、或者狹鄰接化，介層糊4會變形，其結果是變形介層16之發生機率增加。
    如此，配線基板愈精細節距化(也包含孔徑之小徑化、複數孔間之狹鄰接化等)，介層糊造成之介層的變形影響配線間之絕緣性或位移特性、介層電阻或介層電阻之不均的可能性愈為增加。
    對於上述課題，提案了使導電性糊之硬化開始溫度比絕緣片之熔融開始溫度更低。上述之先行技術文獻已知有例如專利文獻1。 【先行技術文獻】 【專利文獻】
    【專利文獻1】特開2003-179356號公報 發明概要
    本實施型態之配線基板，具有：核心基板部，於表面設有第1配線；第2配線，隔著絕緣層而積層於核心基板部上；及介層，填充成於形成於絕緣層之孔具有突出部，並且將第1配線與第2配線電性連接介層糊。絕緣層由預浸體之硬化物構成，介層由介層糊之硬化物構成。介層糊具有：第1、第2潛伏硬化劑；因該第1、第2潛伏硬化劑硬化之未硬化樹脂混合物；及導電粒子。第1、第2潛伏硬化劑之軟化溫度皆為40℃以上、200℃以下，且第1潛伏硬化劑之軟化溫度與第2潛伏硬化劑之軟化溫度相差在10℃以上140℃以下，預浸體在第1潛伏硬化劑之軟化溫度與第2潛伏硬化劑之軟化溫度之溫度間軟化。介層糊係藉由在預浸體之孔中黏度上昇硬化，而成為介層糊之硬化物。
    又，本實施型態之配線基板之製造方法，配線基板具有：核心基板部，於表面設置第1配線；第2配線，係隔著由預浸體之硬化物構成之絕緣層，積層於該核心基板部上；介層，由介層糊之硬化物所構成，該介層糊之硬化物係填充成於形成於為絕緣層之預浸體之孔具有突出部，且由將第1配線與第2配線電性連接之介層糊之硬化物所構成。介層糊具有第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑、因第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑而硬化之未硬化樹脂混合物、及導電粒子。第1潛伏硬化劑之軟化溫度與第2潛伏硬化劑之軟化溫度皆為40℃以上、200℃以下，且第1潛伏硬化劑之軟化溫度與第2潛伏硬化劑之軟化溫度的差在10℃以上、140℃以下。預浸體係在第1潛伏硬化劑之軟化溫度與第2潛伏硬化劑之軟化溫度之間軟化。介層糊係在預浸體之孔中黏度上昇並硬化，藉此成為介層糊之硬化物。配線基板之製造方法包含下列步驟：準備步驟，預備預浸體；第1步驟，係以保護膜被覆預浸體之表面；第2步驟，係隔著保護膜於預浸體穿孔而形成孔；第3步驟，係於孔填充介層糊，且介層糊具有：具有互異之硬化開始溫度之第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑；因第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑而硬化之未硬化樹脂混合物、及導電粒子；第4步驟，係在第3步驟後、藉剝離保護膜，使介層糊之一部份突出而形成之突出部從貫通孔露出表面；第5步驟，係將銅箔配置於預浸體之一面，而覆蓋突出部；第6步驟，係設置面接觸部，面接觸部係將銅箔壓著於預浸體之表面，通過突出部而壓縮介層糊，藉此導電粒子互相面接觸而形成。並具有：第1加熱步驟，係接續於第6步驟之加熱步驟，將介層糊加熱到40℃以上、200℃以下，使未硬化樹脂混合物與第1潛伏硬化劑之熱硬化反應開始；第2加熱步驟，係加熱到比第1加熱步驟高溫且在200℃以下，使預浸體中之預浸體樹脂軟化；及第3加熱步驟，係加熱到比第2加熱步驟高溫且在200℃以下，使殘留之未硬化樹脂混合物與第2潛伏硬化劑之熱硬化反應開始。藉由第1步驟到第4步驟，形成核心基板部，藉由第5步驟形成第2配線，藉第6步驟與之後的加熱步驟，形成介層。 圖式簡單說明
    第1圖係說明本發明之實施形態中之介層糊的截面模式圖。
    第2A圖係顯示本發明之實施形態中之介層糊之示差熱量分析(DSC)之測定結果的圖表。
    第2B圖係顯示本發明之實施形態中之介層糊之硬化樣態的截面模式圖。
    第2C圖係顯示本發明之實施形態中之介層糊之硬化之樣態的截面模式圖。
    第2D圖係顯示本發明之實施形態中之介層糊之硬化之樣態的截面模式圖。
    第3A圖係顯示本發明之實施形態中之第1潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之DSC之測定結果的圖表。
    第3B圖係顯示本發明之實施形態中之第2潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之DSC之測定結果的圖表。
    第3C圖係顯示本發明之實施形態中之第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之DSC之測定結果的圖表。
    第4A圖係顯示本發明之實施形態中之第1潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之黏度與溫度之關係的圖表。
    第4B圖係顯示本發明之實施形態中之第2潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之黏度與溫度之關係的圖表。
    第4C圖係顯示本發明之實施形態中之第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之黏度與溫度之關係的圖表。
    第5A圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第5B圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第5C圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第6A圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第6B圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第6C圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第7A圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第7B圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第7C圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第8圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第9圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第10圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第11圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第12圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第13圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第14圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第15圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第16A圖係本發明之實施形態中之孔之SEM照片。
    第16B圖係本發明之實施形態中之孔之上面模式圖。
    第17圖係說明比較例1之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第18圖係說明比較例1之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第19圖係說明比較例1之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第20A圖係顯示比較例1之孔之SEM照片。
    第20B圖係比較例1之孔之上面模式圖。
    第21圖係說明比較例2之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第22A圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第22B圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第22C圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第23A圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第23B圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第23C圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第24A圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第24B圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第24C圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。 較佳實施例之詳細說明
    專利文獻1所揭示之多層配線基板中之介層孔導體為包含熱硬化性樹脂之導電性糊，且導電性糊之硬化開始溫度比絕緣片之熔融開始溫度低。專利文獻1中，導電性糊之硬化在絕緣片之熔融發生前即已開始。因此，緩和了因為預浸體或者絕緣片之熔融的課題。
    然而專利文獻1中，因使用以比絕緣片之熔融開始溫度低溫開始硬化之導電性糊，在絕緣片熔融而可流動之前，介層孔導體已經先開始或者完成硬化。因此，導電性糊中之已硬化之樹脂成分可能會影響導電性糊所含之導電粉之電性連接。而且特別是介層徑較小時，介層電阻會增加，進而介層電阻可能會不平均。藉由本實施形態，可解決上述課題。
    第1圖係說明本發明之實施形態中之介層糊的截面模式圖。第1圖係將圓柱狀之介層糊切斷的截面模式圖。介層糊110具有導電粒子120、未硬化樹脂混合物130、第1潛伏硬化劑140、及第2潛伏硬化劑150。介層糊110除了導電粒子120、未硬化樹脂混合物130、第1潛伏硬化劑140、第2潛伏硬化劑150之外，添加溶劑、或分散劑等、用以提高介層糊110之印刷性之添加劑是有用的。
    再者第1潛伏硬化劑140、第2潛伏硬化劑150宜皆為固體(或者固形)。藉使第1潛伏硬化劑140、第2潛伏硬化劑150在室溫(20℃)下皆為固體(或者固形)，可藉液化(或者軟化)，而實質地顯現硬化反應。
    再者，令第1潛伏硬化劑140、第2潛伏硬化劑150之任一者以上在室溫(20℃)下為液狀也是有用的。藉由如此，可提高與未硬化樹脂混合物130之反應性。又，此種情況下之硬化之顯現機制只要可因應於使用之液狀第1潛伏硬化劑140、第2潛伏硬化劑150之特性，個別地最適化即可。
    第1潛伏硬化劑140、第2潛伏硬化劑150皆使用固體狀態之潛伏硬化劑係有用的。藉由成固體狀態，在第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150熔融之溫度(或者液化之溫度、或者軟化之溫度等)下，開始與未硬化樹脂混合物130之熱硬化反應。又，使彼此皆具有不同之熔融溫度(或者由固體狀態往液狀變化之溫度、或者液化、或者軟化或者反應開始之溫度)之複數潛伏硬化劑(例如第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150)皆在固體狀態下先加到介層糊110是有用的。藉由如此，可在彼此不同之熔融溫度(或者由固體狀態往液狀變化之溫度等)下，多階段(或者彼此相差5℃以上之溫度)地開始與未硬化樹脂混合物130之硬化反應。
    其結果是預浸體230(参照第7A圖、第7B圖)在複數之熱硬化反應之溫度間(或者步驟間)軟化，又，預浸體230一面流動一面防止介層糊110之變形。因此，即使孔徑已經小徑化、或者狹鄰接化，亦可防止介層電阻之增加、或介層電阻之不均增加。
    再者，所謂未硬化樹脂混合物130，是複數互異之未硬化之熱硬化樹脂的混合物。在此，所謂不同之熱硬化樹脂，是未硬化狀態之熱硬化性樹脂，且為彼此之環氧當量不同的樹脂混合物。例如，為環氧當量約450之未硬化之環氧樹脂(官能基數為2)、與環氧當量約90之未硬化之環氧樹脂(官能基數為3)之混合物。如此，藉著眼於使用之未硬化之熱硬化樹脂之環氧當量，將彼此環氧當量不同(宜為10以上、更宜為20、40以上)樹脂混合複數種類，藉此可互相控制與第1潛伏硬化劑140、第2潛伏硬化劑150之反應性。再者，潛伏硬化劑與所謂之反應性稀釋劑是不同的。又，所謂官能基數，係對於一個分子鏈之官能基的數。
    環氧當量較大之(例如，環氧當量為約450)未硬化熱硬化樹脂比環氧當量較小之(例如，環氧當量為約90)未硬化熱硬化樹脂的硬化反應慢。藉由未硬化之熱硬化樹脂之環氧當量之大小(愈大反應愈慢，愈小反應愈快)，可如後述之第2A圖、第3C圖、第4C圖等所示，設置複數之反應步驟。
    再者，所謂潛伏硬化劑(Latent Hardener)係藉例如由固體狀態變化成液狀(或者熔融、軟化)，顯現與未硬化狀態之熱硬化樹脂之反應性的硬化劑。因應於用途，而在室溫(20℃)下使用液狀之潛伏硬化劑係有用的。
    其次，使用第2A圖更詳細說明。第2A圖係顯示本發明之實施形態中之介層糊110之示差熱量分析(DSC)之測定結果的圖表。第2B圖~2D係顯示本發明之實施形態中之介層糊110之硬化樣態的截面模式圖。
    第2A圖中，X軸(横軸)為溫度，表示40℃~240℃之範圍。X軸之單位為℃。Y軸(縱軸)係表示示差熱量分析(Differential Scanning Calorimetry：DSC)之值。Y軸之單位為任意單位(arbitrary unit：a.u.)。再者，示差熱量分析裝置係測定測定試料(例如，介層糊110)與標準物質之間之熱量差的裝置，可使用市面販售的測定裝置。配合配線基板在製造步驟之昇溫溫度(1℃/分鐘以上、10℃/分鐘以下)，DSC之昇溫速度宜在1℃/分鐘以上、10℃/分鐘以下進行。
    測定不需僅限定於DSC，亦可使用TG/DTA(Thermo Gravimetry/Differential Thermal Analyser)。使用TG/DTA也與DSC同樣地可測定介層糊110之熱硬化行為(特別是硬化開始溫度、硬化發熱尖峰溫度、硬化結束溫度等)。又，視需要而使用TMA(Thermo Mechanical Analyzer)也是有用的。再者，DSC等參考JIS規格之JIS K7121塑膠之轉化溫度測定方法、JISK7122塑膠之轉化熱測定方法、JISK7123塑膠之比熱容量測定方法等即可。
    又，第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150在室溫(20℃)皆為固體時，可以TMA測定該等之軟化溫度。關於使用了TMA之軟化溫度之測定方法參考JIS K7196熱可塑性塑膠膜及片板之熱機械分析之軟化溫度試驗法等即可。
    又，亦可令第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150之融點為其軟化溫度。
    再者，使用液狀(例如在室溫20℃為液狀)之第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150時，宜作為顯現反應性之溫度，以取代軟化溫度。這是因為液狀(至少在室溫20℃為液狀)之潛伏硬化劑會因為外部賦與之熱等而顯現反應，不具有可以TMA測定之軟化溫度之故。
    第2A圖中，Tp1、Tp2係表示介層糊110之DSC測定中之發熱尖峰溫度。Tp1為起因於未硬化樹脂混合物130之一部份與第1潛伏硬化劑140之反應之發熱的尖峰溫度(第1發熱尖峰溫度)。Tp1係由輔助線160b所求得。Tp2係表示剩餘之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之反應中之發熱尖峰的溫度(第2發熱尖峰溫度)。Tp2由輔助線160d所求得。
    第2A圖中，Ts1、Ts2係表示介層糊110之DSC測定中之反應開始溫度。Ts1為未硬化樹脂混合物130之一部份與第1潛伏硬化劑140之熱硬化反應之反應開始溫度(第1反應開始溫度)，Ts1係由輔助線160a所求得。Ts2係剩餘之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之反應的反應開始溫度(第2反應開始溫度)。Ts2係由輔助線160c所求得。
    再者，藉使用皆為固體狀態之第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150，利用該熔融溫度(進而為反應開始溫度等)，可控制使Ts1、Ts2、Tp1、Tp2等彼此相差5℃以上(進而為10℃以上)。
    再者第2A圖中，輔助線160a~160d之一部份係特別與圖表170分開圖示，以避免第2A圖變複雑。
    再者，Ts1、Tp1、Ts2、Tp2等之求法、或者用於求得該等之輔助線160a~160d之設定方法係以JIS之記載為基本，或者使用由測定裝置製造者所提供之自動計算程式是有用的。
    第2發熱尖峰Tp2係相當於介層糊110中所含之、未與第1潛伏硬化劑140反應完全而殘留之未硬化樹脂混合物130、與第2潛伏硬化劑150反應而產生之反應熱。
    取得第1潛伏硬化劑140、第2潛伏硬化劑150與在個別之溫度開始硬化之未硬化樹脂混合物130的平衡是重要的。
    例如，藉將未硬化樹脂混合物130之比例增加到與第1潛伏硬化劑140反應之必要量以上，未與第1潛伏硬化劑140反應完全之未硬化樹脂混合物130會就此殘留。接著可使該殘留之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150在更高溫側進行新的反應。特別是將環氧樹脂使用於未硬化樹脂混合物130時，計算該環氧當量是有用的。再者，環氧當量(單位為g/eq)可以相當於1個環氧基之環氧樹脂之分子量來定義。
    又，第1潛伏硬化劑140、第2潛伏硬化劑150之當量由活性氫當量或者活性胺當量等來計算。再者，硬化劑方面之活性氫當量或胺當量與環氧樹脂側之環氧當量宜大略相同。但是，考慮到製品製造上之不均等，先將活性氫當量或者活性胺當量設定稍微(例如1wt%以下、或者5wt%以下)比環氧當量多係有用的。
    以上，如第2A圖所示，本實施形態之介層糊110具有第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150，且第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150具有至少彼此相差5℃以上(進而為10℃以上)之複數反應開始溫度。或者具有以Ts1、Ts2所示之相差5℃以上(進而為10℃以上)之至少2個反應開始溫度。或者具有以Tp1、Tp2所示之相差5℃以上(進而為10℃以上)之至少2個反應尖峰的溫度。當該等差小於5℃時，後述之第12圖~14所說明之預浸體230之間隙320的埋設可能會不足。
    第2B圖~第2D圖係顯示藉介層糊110之由室溫(例如20℃)前後開始加熱，以複數步驟進行介層糊110之硬化反應之樣態的截面模式圖。
    第2B圖係顯示室溫(20℃)附近之介層糊110之截面的模式圖。如第2B圖所示，在室溫附近(進而由20℃附近到小於Ts1所示之溫度)中，介層糊110至少包含了導電粒子120、未硬化樹脂混合物130、固體狀態之第1潛伏硬化劑140、及固體狀態之第2潛伏硬化劑150。之後，因將介層糊110加熱到室溫以上(具體而言係到超過溫度Ts1之溫度)，第1潛伏硬化劑140與未硬化樹脂混合物130之熱硬化反應開始。在此，第1潛伏硬化劑140宜選擇在室溫下為固體，並藉超過融點，或者由固體液化，開始與未硬化樹脂混合物130之熱硬化反應的材料。然後，介層糊110以溫度Tp1表示最初之發熱之尖峰。超過溫度Tp1後之狀態為第2C圖之狀態。第2C圖中，所謂第1硬化物180，係未硬化樹脂混合物130之一部份與第1潛伏硬化劑140彼此熱硬化而形成之硬化物。再者第2C圖中，第1硬化物180與未硬化樹脂混合物130宜為彼此混合(或者相溶、共存)狀態。藉此，第1硬化物180內所含之未硬化樹脂混合物130顯現應力緩和效果。再者如第2C圖所示，為了使第1硬化物180與未硬化樹脂混合物130混合，先大量的添加未硬化樹脂混合物130，以使與第1潛伏硬化劑140未硬化完全(或者無法完全消失)是有用的。
    然後，藉進一步持續加熱，在第2A圖之Ts2所示之溫度，未完全反應而殘留之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之硬化反應開始。然後，經過第2A圖所示之反應溫度之尖峰(Tp2)後，成為第2D圖之狀態。第2D圖係表示超過Tp2之高溫側中之介層糊110之硬化狀態。第2D圖中，介層糊110包含有已硬化熱硬化樹脂190與導電粒子120。已硬化熱硬化樹脂190係由第1硬化物180、未完全反應而與第1硬化物180共存之未硬化樹脂混合物130、第2潛伏硬化劑150反應而成之熱硬化物(未圖示)所構成。再者第2B圖~第2D圖中，使介層糊110在介層孔內硬化時，係如後述之第10圖等所說明，複數之導電粒子120會彼此壓著，形成互相變形之面接觸部，但如此之部分未加以圖示。
    其次使用第3A圖~第3C圖，說明介層糊110之構成構件之DSC之測定結果。第3A圖~第3C圖顯示介層糊110之構成構件之DSC之測定結果之一例的圖表170a~170c。
    第3A圖為包含構成介層糊110之構件之未硬化樹脂混合物130、與第1潛伏硬化劑140之混合物之DSC資料。再者，藉不添加導電粒子120，亦可更正確地測定對於該等構件溫度之硬化行為。
    第3A圖中，Ts1相當於未硬化樹脂混合物130與第1潛伏硬化劑140之反應開始溫度。Ts1使用輔助線(未圖示)，如前述之第2A圖而求得。Tp1相當於顯示因未硬化樹脂混合物130與第1潛伏硬化劑140之反應之發熱尖峰的溫度。
    第3B圖係構成介層糊110之構件之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之混合物之DSC的圖表。再者，藉不添加導電粒子120，亦可更正確地測定對於該等構件之溫度的硬化行為。
    第3B圖中，Ts2相當於未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之反應開始溫度。Ts2使用輔助線(未圖示)如前述之第2A圖而求得。Tp2係顯示未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之反應之發熱尖峰溫度。
    第3C圖係構成介層糊110之構件之未硬化樹脂混合物130、第1潛伏硬化劑140、與第2潛伏硬化劑150之混合物之DSC的圖表。再者藉不添加導電粒子120，亦可更正確地測定對於該等構件之溫度的硬化行為。
    第3C圖中，Ts1相當於未硬化樹脂混合物130與第1潛伏硬化劑140之反應開始溫度。Tp1係顯示未硬化樹脂混合物130與第1潛伏硬化劑140之反應之發熱尖峰溫度。Ts2相當於因第1潛伏硬化劑140而未消失完全(或者殘留)之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之反應開始溫度。Tp2係顯示因第1潛伏硬化劑140而未消失完全之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之反應的發熱尖峰溫度。
    如以上所示，使第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150、與未硬化樹脂混合物130之反應開始溫度彼此相差至少5℃以上(進而為10℃以上)是有用的。
    為了使之產生如此選擇性的反應性的差異，利用反應機制之設計、或者反應速度之慢/快是有用的。所謂反應機制之設計，係例如利用固體之潛伏硬化劑熔融而反應開始之性質，藉此積極地組合複數種不同之熔融溫度之固體潛伏硬化劑。
    再者，介層糊110所含之第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150的融點皆為40℃以上、200℃以下，且第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150之融點差為10℃以上(進而為20℃以上、更進一步為30℃以上)，140℃以下(或者130℃以下、或者120℃以下)係有用的。如此，令介層糊110如第2A圖或第3C圖之圖表所示，具有至少2個發熱尖峰溫度(Tp1、Tp2)，進而具有2個以上之反應開始溫度(Ts1、Ts2)。又，至少該2個發熱尖峰溫度(Tp1、Tp2)或進而2個反應開始溫度(Ts1、Ts2)皆為40℃以上、200℃以下是有用的。發熱尖峰溫度(Tp1、Tp2)進而與反應開始溫度(Ts1、Ts2)皆小於40℃時，介層糊110會自然硬化，使用期限等會縮短。又，發熱尖峰溫度(Tp1、Tp2)、進而為反應開始溫度(Ts1、Ts2)皆超過200℃時，作為後述之第7C圖所說明之配線基板330使用之預浸體230特殊且可能為高價。再者，至少2個發熱尖峰溫度(Tp1、Tp2)之差小於10℃時，複數之發熱尖峰溫度(Tp1、Tp2)會重疊於1個，即使是介層徑小徑化時，可能會有介層電阻之增加或介層電阻之不均增加的課題產生。又，當彼此至少2個發熱尖峰溫度之差相差大於140℃時，作為多層配線基板使用之預浸體特殊且可能成為高價。
    再者，介層糊110在示差熱量分析中，具有至少2個反應開始溫度(Ts1、Ts2)，該至少2個反應開始溫度(Ts1、Ts2)皆為40℃以上，且2個反應開始溫度之差為10℃以上、140℃以下係有用的。反應開始溫度皆小於40℃時，介層糊110會自然硬化，可能使用期限等會縮短。又，反應開始溫度皆超過200℃時，作為多層配線基板使用之預浸體特殊且可能成為高價。
    當2個反應開始溫度之差小於10℃時，可能會發生介層電阻之增加或介層電阻之不均增加之課題。又，彼此至少2個反應開始溫度之差相差大於140℃時，預浸體為特殊且可能成為高價。
    如以上所述，介層糊110至少具有皆為固體之第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150、因第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150而硬化之未硬化樹脂混合物130、及導電粒子120。第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150之融點皆為40℃以上、200℃以下，且彼此相差在10℃以上、140℃以下之範圍，介層糊110至少具有顯示2個發熱尖峰之溫度(Tp1、Tp2)。又，藉具有顯示該2個發熱尖峰溫度之溫度(Tp1、Tp2)，介層糊之溫度與黏度之圖表中，可於70℃~160℃之溫度區域設置黏度變化較少之區域(一種平坦區域)(參照第4C圖)。接著可產生該溫度變化較少之區域(即，第1潛伏硬化劑140與未硬化樹脂混合物130之硬化物之第1硬化物180、與未反應完全之未硬化樹脂混合物130共存之區域)。又，該平坦區域中，藉使預浸體230中所含之預浸體樹脂370流動，可防止介層糊110變形。
    如此，藉使介層糊110進行多階段的硬化，可使對於黏度之溫度的行為對配線基板最適化。
    其次，顯示介層糊110之黏度對於溫度之特性最適化的一例。就測定介層糊110之黏度之結果的一例作說明。黏度計可使用(UBM)有限公司製(例如G1000等)、HAAKE公司製(例如(RheoStress)RS6000等)、旧社製(現在的TA(TA Instrument)公司)之RSA等販售之流變計。發明人們使用之裝置為錐板式之流變計(使用之錐的直徑為25mm、錐角度2度、旋轉速度0.5rpm，可由此計算剪切率等)。再者以流變計之黏度測定等參考JISK7117-2或JISK6833等即可。再者，黏度亦可作為穩流黏度(由定常旋轉時之轉矩求得之黏度)，但作為動態黏度(由賦與正弦振動時產生之應力所求得之動態黏度)係有用的。
    第4A圖~第4C圖係顯示構成介層糊110之構件之黏度與溫度之相關關係之測定結果之一例的圖表170d~170f。X軸(横軸)為溫度(單位為℃)、Y軸(縱軸)係表示黏度之Y軸之單位可為任意單位(a.u.)。又，黏度變化較大，因此Y軸係以對數表示。
    第4A圖為與前述第3A圖所示之樣品相同之樣品之黏度與溫度關係的測定結果。即，為構成介層糊110之構件之包含未硬化樹脂混合物130與第1潛伏硬化劑140之混合物之黏度的測定結果。再者，不添加導電粒子120，藉此亦可更正確地測定該等構件之溫度對於黏度之變化。
    第4A圖中，Tη1a係表示測定樣品之最低黏度的溫度。第4A圖中，在40℃附近樣品為液狀，在Tη1a成為最低黏度，然後黏度急速地上升到100℃附近，並且樣品硬化。再者Tη1a使用輔助線180a來求得。
    第4B圖係與前述之第3B圖所示之樣品相同之樣品之黏度與溫度之關係的測定結果。即，為構成介層糊110之構件之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之混合物之黏度變化的測定結果。再者不添加導電粒子120，藉此亦可更正確地測定對於該等構件之溫度之硬化行為。第4B圖中，Tη2a係顯示測定樣品之最低黏度的溫度。
    第4B圖中，係表示在室溫附近為液狀，並以150℃附近之溫度Tη2a為最低黏度。然後，黏度與樣品之硬化一起急速的上昇。再者，Tη2a使用輔助線180b求得。
    第4C圖係與前述之第3C圖所示之樣品相同之樣品之最低黏度之測定結果。即，為構成介層糊110之構件，且為未硬化樹脂混合物130、第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150之混合物之黏度變化的測定結果。
    第4C圖所示之T η 1b係轉換到比顯示第4A圖之最低黏度之T η 1a高溫之側，T η 2b係轉換到比顯示第4B圖之最低黏度之T η 2a低溫之側。如此，藉分別使T η 1a轉換到高溫側之T η 1b，使T η 2a轉換到低溫側之T η 2b，可使第2C圖中之第1硬化物180與混合於第1硬化物180之未硬化樹脂混合物130之混合狀態均一。再者轉換溫度宜為1℃以上、20℃以下(進而為15℃以下、更進一步為10℃以下)。轉換溫度小於1℃時可能會受到測定精度等的影響。又，轉換溫度超過20℃時，可能會對彼此之混合狀態有所影響。再者T η 1b係使用輔助線180c來求得。T η 2b使用輔助線180d來求得。
    又，第4C圖中之平坦區域210之黏度區域(即對於Y軸之值)宜為100Pa‧s以上、10000Pa‧s以下之範圍內(進而為300Pa‧s以上、3000Pa‧s以下之範圍內)。在此範圍內，相對於對數軸(Y軸)，黏度變化較少(即黏度變化在±2位數以內、進而在±1位數以內、或者抑制到10倍以下之範圍)溫度。
    再者，平坦區域210之低溫側之端比Ts1高溫(進而比Tp1高溫)，平坦區域210之高溫側之端小於Tp2(進而小於Ts2)。再者，考慮到量產時，平坦區域210之低溫側之端宜在50℃以上、高溫側之端宜在180℃以下。又，平坦區域之溫度幅度(即黏度變化小如±2位數以內之範圍)宜為5℃以上(進而為10℃以上)、80℃以下。平坦區域210之幅度(對於第4圖之溫度軸之幅度)小於5℃時，會對後述之第12~14圖所說明之已軟化之預浸體樹脂370之間隙320的填充性造成影響。又，超過80℃時，有時候難以將便宜的環氧樹脂等使用於預浸體樹脂370。
    如上所述，如後述之第7A圖~第7C圖所示，本實施形態係有關於一種至少表層設有第1配線340之核心基板部310、於該核心基板部310上隔著由預浸體230之硬化物所構成之絕緣層290而積層之第2配線350、填充於形成於絕緣層290之孔240且將第1配線340與第2配線350電性連接之介層糊110。介層糊110至少具有皆為固體之第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150、因第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150而硬化之未硬化樹脂混合物130、及導電粒子120。第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150之融點皆為40℃以上、200℃以下，彼此相差在10℃以上、140℃以下之範圍內。藉此，可防止介層徑小徑化時之因介層糊110之變形造成介層電阻之增加或介層電阻之不均增加等課題。
    其次，說明使用介層糊110之配線基板及其製造方法。使用第5A圖~第7C圖說明使用了介層糊110之多層配線基板及其製造方法。再者第5A圖~第6C圖係使用了介層糊110之配線基板之一部份(或者成為核心部分)之核心基板部310之製造方法。核心基板部310之製造中，使用習知之介層糊而取代介層糊110時，加熱壓製時鍍孔部可能會受到變形等影響。
    第5A圖~第7C圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    首先如第5A圖所示，於預浸體230之兩表面貼合保護膜220。本實施形態中，預浸體230具有由玻璃織布或不織布等構成之芯材(未圖示)及含浸於該芯材之半硬化狀態之預浸體樹脂(未圖示)。
    保護膜220係使用各種樹脂膜。該具體例係例如可舉PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PEN(聚2,6萘二甲酸乙二酯)等之樹脂膜。樹脂膜之厚度宜為0.5~50μm、進而宜為1~30μm。如此之厚度時，可如後述般藉由保護膜220之剝離，而使由充分高度之介層糊110構成之突出部270露出表面。
    使保護膜220貼合於預浸體230之方法可舉例如使用於預浸體230之表面露出之未硬化(或者半硬化狀態之)預浸體樹脂(未圖示)之表面黏性，直接貼合之方法。
    其次如第5B圖所示，藉由於配置有保護膜220之預浸體230，由保護膜220之外側穿孔，形成孔240。穿孔時除了使用二氧化碳雷射、YAG雷射等之非接觸的加工方法之外，可使用使用鑽孔機之鑽孔等各種方法。貫通而形成之孔240的直徑為10~500μm、進而為50~300μm左右。
    其次如第5C圖所示，藉使刮漿板250朝箭頭255之方向移動，孔240之中填滿介層糊110。介層糊110含有導電粒子120(雖未圖示但為例如Cu粉等)、未硬化樹脂混合物130、及皆為固體之第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150。刮漿板250可使用一般網版印刷所使用之橡膠製之刮漿板。
    由Cu粒子等構成之導電粒子120之平均粒徑為0.1~20μm，進而宜為1~10μm之範圍。當Cu粒子等之導電粒子120的平均粒徑過小時，導電粒子120變得難以高填充於孔240中。又，粒徑較小之導電粒子120為高價。另一方面，當由Cu粒子等構成之導電粒子120之平均粒徑過大時，若欲形成徑較小之介層孔導體時變得難以填充。
    又，由Cu粒子等構成之導電粒子120之粒子形狀沒有特別限定。具體而言可舉例如球狀、扁平狀、多角狀、麟片狀、分層狀、或者表面具有突起之形狀等。又，亦可為一次粒子，亦可形成二次粒子。
    介層糊110之填充方法沒有特別限定。具體而言，可使用例如網版印刷等之方法。再者，本實施形態之製造方法中，當於孔240填充介層糊110時，在填充步驟後，將保護膜220剝離時，必須填充由形成於預浸體230之孔240溢出之量，使介層糊110之一部份由形成於預浸體230之孔240突出而突出部270露出表面。
    其次，如第6A圖所示，藉由預浸體230之表面剝離保護膜220，使介層糊110之一部份由孔240突出為突出部270。突出部270之高度也可根據保護膜220之厚度，但宜為例如0.5~50μm、進而宜為1~30μm。突出部270之高度過高時，在後述之壓著步驟中，可能糊會溢出預浸體230之表面之孔240之周圍而失去表面平滑性。若突出部270之高度過低時，在後述之壓著步驟中，可能會變得壓力無法充分地傳達至被填充之介層糊110。
    如第6A圖所示，於預浸體230之上配置銅箔260，並且朝箭頭200所示之方向壓製。藉此，如第6B圖所示，藉由使預浸體230與銅箔260一體化，形成絕緣層290。壓製之一開始，由於透過銅箔260將力施加於突出部270，因此填充於孔240之介層糊110會受到高壓力而被壓縮。藉此，介層糊110中所含之複數導電粒子120(未圖示)之間的間隔會變窄，導電粒子120之間會互相變形，並且面接觸形成介層280。
    壓製條件未特別限定，但宜以常溫(20℃)以上、小於第1潛伏硬化劑140之融點(或者小於反應開始溫度)、或者第2A圖之溫度Ts1、或者小於第3A圖之溫度Ts1之溫度，開始壓製之加壓。
    在此，如第6A圖所示，使由形成於預浸體230之孔240突出之突出部270隔著銅箔260推壓，藉此填充於孔240之介層糊110會被壓縮，導電粒子120會互相接觸。壓縮時，一開始導電粒子120之間會互相點接觸，然後隨著壓力增加而壓垮、彼此變形成面接觸，形成面接觸部380(未圖示)。如此，藉由多數之導電粒子120之間面接觸，以低電阻狀態電性連接為上層配線之銅箔260與為下層配線之銅箔260之間。
    如此，形成用以將上層配線與下層配線層間連接之介層280。
    其次，如第6C圖所示，至少於其中一面形成配線300。配線300係藉由於表層貼合有銅箔260之表面形成光阻膜，隔著遮罩選擇性地曝光以進行圖案化後，進行顯像，並藉由蝕刻選擇性地去除配線部以外之銅箔260後，去除光阻膜等而形成。光阻膜之形成可使用液狀之抗蝕劑，亦可使用乾膜。
    藉由如此之步驟，得到核心基板部310，核心基板部310具有絕緣層290、為形成於該絕緣層290之兩面之配線300且彼此具有間隙320而形成之複數配線300、及連接該配線300之間之介層280的核心基板部310。
    其次，使用第7A圖~第7C圖來加以說明進一步將該核心基板部310多層化，藉此製造本實施形態之多層配線基板之樣態。
    首先，如第7A圖所示，將具有由與第6A圖所得者相同之介層糊110所構成之突出部270之預浸體230、銅箔260分別配置、疊合於核心基板部310之配線300側，形成疊合體(未圖示)。接著，將該疊合體挾入壓製模具(未圖示)，朝箭頭200a所示之方向進行壓製、加熱，藉此得到如第7B圖所示之積層體。
    然後，藉使用如上述之光刻處理，將新配線350形成於該表層。進而反覆進行如此之多層化製程，得到多層之配線基板330。
    其次、如第7B圖所示，將含浸於預浸體230之預浸體樹脂(未圖示)如箭頭200b所示般流動並埋設於形成為朝核心基板部310之一面突出之複數配線300間之間隙320。如第7B圖之輔助線160包圍之部分所示，在形成於設置於核心基板部310之一面之複數配線300之間之間隙320，係如箭頭200b所示，浸透預浸體230中之預浸體樹脂(未圖示)，並填充其間隙320。
    在此，當預浸體230之厚度較薄時，或者設置於核心基板部310之一面之複數配線300微細圖案化時，為了將預浸體樹脂填入微細的間隙320，或者為了預浸體樹脂之更低黏度化、或將預浸體樹脂壓入到間隙320之各角落，需要往如第7B圖之箭頭200a所示之方向之強力的加壓力。所謂預浸體230之厚度較薄時，係例如厚度為100μm以下、進而為50μm以下、30μm以下。若愈是將預浸體樹脂低黏度化，並且進一步以強力的加壓力填充到配線300之間隙320，則如前述之第24C圖之輔助線15所示，介層糊110之一部份可能會推壓流到預浸體樹脂之流動。
    本實施形態之介層糊110中，即使預浸體230之厚度變薄，進一步使預浸體樹脂比習知更為低黏度化，並以強力的加壓力填充於配線300之間隙320時，介層糊110也不變形。
    第7C圖係如此製作出之本實施形態之配線基板330之截面圖。又，藉重複第7A圖~第7C圖之步驟必要次數，可對應於更進一步之多層化。
    第7C圖中，第1配線340係設置成從核心基板部310之表面突出之配線。配線基板330於核心基板部310上，具有隔著由預浸體230之硬化物構成之絕緣層290而積層之第2配線350、及由填充於形成於該絕緣層290之孔240，並將第1配線340與第2配線350電性連接之介層糊110之硬化物所構成之介層280。介層糊110至少具有：皆為固體之第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150、由第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150硬化之未硬化樹脂混合物130、導電粒子120。第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150之融點皆為40℃以上、200℃以下，且彼此相差在10℃以上、140℃以下之範圍。藉由該構成，可得到抑制介層糊110之變形，信賴性優異之配線基板330。
    其次，使用第8圖~第15圖，進一步詳細說明介層糊110填充於預浸體，並且構成層間連接之介層時不變形的理由。
    第8圖~第15圖相當於例如第7B圖之輔助線160所示之部分放大截面圖。
    第8圖係顯示將介層糊110之一部份成為突出部270之預浸體230，壓附於形成於核心基板部310之一面之配線300之樣態的截面圖，且相當於例如放大第7A圖之一部份之截面圖。
    如第8圖所示，預浸體230具有芯材360(由玻璃纖維或醯胺等之樹脂纖維構成之織布、或者不織布)、及由含浸於該芯材360之環氧樹脂等所構成之半硬化狀態之樹脂(以下當作預浸體樹脂370)。
    第8圖係顯示由室溫(20℃)附近開始小於第2A圖之Ts1之介層糊110之硬化反應前之狀態。第8圖中，介層糊110為硬化前，介層糊110中，含有皆為固體狀態之第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150、或導電粒子120、未硬化樹脂混合物130。
    又，由介層糊110構成之突出部270、與形成於核心基板部310之表面之配線300(第7C圖中，圖示為第1配線340)之間，存在間隙320。
    然後，如第8圖之箭頭200a所示，將該等構件加壓。再者該加壓宜在室溫(20℃)附近且小於Ts1(Ts1參照第2圖等)進行。藉在該溫度範圍加壓，作為第9圖之狀態。
    第9圖係顯示由介層糊110構成之突出部270、與形成於核心基板部310之表面之配線300接觸之狀態的截面圖。再者該加壓宜與第8圖同樣在室溫(20℃)附近到小於Ts1(Ts1參照第2圖等)進行。接著，藉進一步持續加壓，作為第10圖之狀態。
    第10圖係顯示介層糊110受到加壓，添加於其內部之複數導電粒子120朝箭頭200a所示般被加壓，並且透過相互變形而成之面接觸部380而電性導通之樣態的截面圖。再者該加壓宜與第8圖、第9圖同樣在室溫(20℃)附近到小於Ts1(Ts1參照第2圖等)進行。
    接著，在該狀態下持續加壓，藉將該等構件加熱到Ts1以上(進一步為Tp1前後、例如Tp1±10℃以下之範圍)，成為第11圖之狀態。
    第11圖係顯示介層糊110中之固體之第1潛伏硬化劑140熔融、或者軟化、或者顯現反應性，與未硬化樹脂混合物130之一部份硬化反應，形成第1硬化物180之樣態。再者如第11圖所示，除了固體之第2潛伏硬化劑150，第1硬化物180與未硬化樹脂混合物130宜共存。為了使未反應完全而殘留之未硬化樹脂混合物130與第1硬化物180共存，宜使第1潛伏硬化劑140之環氧當量為未硬化樹脂混合物130之環氧當量之10%以上、90%以下(進而為20%以上、80%以下、進一步為30%以上、70%以下、或者40%以上、60%以下、更進一步為45%以上、55%以下)。
    然後，藉更進一步持續加熱，使預浸體230所含之預浸體樹脂370軟化，填入核心基板部310之間隙320等。
    第12圖係顯示藉加熱到Tp1以上，使預浸體230所含之預浸體樹脂370軟化，並且通過芯材360等之間隙，如箭頭200b所示般流動之樣態。再者第12圖中，介層糊110不因其中所含之第1硬化物180的存在，而受到預浸體230所含之預浸體樹脂370之流動的影響。又，因反應而未形成第1硬化物180而殘留之未硬化樹脂混合物130與第1硬化物180共存。即使第1硬化物180已經硬化，由於存在未硬化樹脂混合物130，對於外力之應力可緩和，不會因箭頭200a等之壓縮力而毀壞。然後，視需要而進一步持續加熱，如第13圖所示，使預浸體230所含之預浸體樹脂370更一步軟化成低黏度，並藉提高其流動性填入間隙320。如此成為第14圖之狀態。
    第14圖中，預浸體230與核心基板部310之間隙(特別為複數之配線300間之間隙320)填入被加熱到Ts1以上(進而為Tp1以上)，並且軟化之預浸體樹脂370。又藉使未硬化樹脂混合物130之一部份往預浸體230側移動，可更為提高介層280中之導電粒子120之體積密度。
    之後、藉加熱到Ts2以上，介層糊110所含之固體狀態之第2潛伏硬化劑150會熔融(或者顯現反應性)、與第1硬化物180共存之未硬化樹脂混合物130的反應會開始。進而藉使預浸體樹脂370也硬化，成為第15圖所示之狀態。
    第15圖係顯示預浸體230與介層糊110也皆硬化後之狀態的截面圖。第15圖中，預浸體樹脂370硬化，形成已硬化預浸體樹脂390。
    再者，透過面接觸部380使導電粒子120之間面接觸宜在室溫(20℃)附近到小於第2A圖之Ts1、或者第2B圖所示之狀態，且在硬化開始之前進行。若為Ts1以上(進而為Tp1以上)時，第1潛伏硬化劑140與未硬化樹脂混合物130之硬化物(例如，第1硬化物180)有時候會對導電粒子之面接觸(進而為該接觸電阻)造成影響。又，如此之硬化反應由於也會依存於壓製並加熱時之昇溫速度，因此宜因應於昇溫速度，進而也考慮在基材內之熱傳導速度等來設定。
    再者，宜在小於Tp1(進而小於Ts1)之溫度區域，透過複數之導電粒子120互相變形而形成之面接觸部380而接觸後，將介層糊110加熱到Ts1以上、進而加熱到Tp1以上。藉加熱到Ts1以上，固體狀態之第1潛伏硬化劑140會熔融，顯現反應性，並與未硬化樹脂混合物130反應，可形成第1硬化物180。在之後之加熱中軟化之預浸體樹脂370會填入鄰接之複數配線300之間之間隙320(或者設置於第7B圖所示之核心基板部310之表面之第1配線340之間隙320)。此時，預浸體樹脂370會流動到介層糊110，並且第1硬化物180防止介層糊110之形狀變形。之後，藉將介層糊110或預浸體230加熱到Ts2以上(進而為Tp2前後。再者所謂前後宜為±10℃以下，進而宜為±5℃以下)，殘留於介層糊110中之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150開始反應，形成已硬化熱硬化樹脂190。
    又，第8圖~第15圖所示之加壓、加熱步驟為一連串之連續步驟，從生產步驟中之管理項目之減少、作業效率化的觀點來看也有用。
    再者第13圖、14中，因第1潛伏硬化劑140而未完全消盡(或者反應)之未硬化樹脂混合物130與第1硬化物180共存。而且該共存之未硬化樹脂混合物130在Ts2以上液化，並且與顯現實質反應性之第2潛伏硬化劑150硬化反應，使介層糊110硬化，形成介層280。
    第16A圖係顯示本發明之實施形態之介層280之SEM照片圖。第16B圖係該模式圖。如第16A圖、第16B圖所示，可知使用了介層糊110之配線基板330中，介層280幾乎未受到預浸體樹脂370(第16B圖中係圖示為已硬化預浸體樹脂390)之流動的影響。
    如第16A圖、第16B圖所示，絕緣層290至少具有由玻璃織布或玻璃不織布、或者醯胺織布或者醯胺不織布等構成之芯材360、及已硬化預浸體樹脂390。
    再者，導電粒子120之平均粒徑宜為0.1~20μm、進而宜為1~10μm之範圍。當導電粒子120之平均粒徑過小時，介層280中，由於接觸點變多，因此具有導通電阻變大的傾向。又，如此粒徑之小粒子有高價之傾向。另一方面，當導電粒子120之平均粒徑過大時，若形成直徑100~150μm左右之小介層280，有時候會難以提高填充率。
    導電粒子120之純度宜為90質量%以上、進而宜為99質量%以上。導電粒子120係其銅純度愈高則變得愈軟。因此，為了容易在後述之加壓步驟中壓垮，在複數之導電粒子120接觸時，導電粒子120會容易變形，藉此導電粒子120之接觸面積變大。又，當純度高時，從導電粒子120之電阻值變得更低之觀點來看也是較好的。
    再者、導電粒子120之平均粒徑、或導電粒子120面接觸之面接觸部380之構造係在將所形成之配線基板填入樹脂後，將研磨介層280之截面而製作之試料使用掃瞄型電子顯微鏡(SEM)進行測定。亦可視需要而使用FOCUSED ION BEAM等之微細加工手段。
    多數之導電粒子120係相互接觸，且在隔著絕緣層290而絕緣之複數配線300之間形成低電阻之導通路。藉使如此之導通路形成，可以較小的連接電阻將隔著絕緣層290而對向之複數配線300(或者第7C圖所示之第1配線340與第2配線350之間)層間連接。
    又，介層280中，多數之導電粒子120宜為非整齊排列，而是如第11圖~第15圖所示隨意的接觸，藉此形成複雜的網絡。藉由形成如此之網絡，可提高電性連接之信賴性。又，多數之導電粒子120面接觸之位置亦宜為隨意。藉由在隨意之位置使導電粒子120面接觸，受熱時在介層280之內部發生之應力、或由外部所賦與之外力藉由該變形而分散。
    介層280中所含有之導電粒子120之體積比例宜為30~90體積%，進而宜為40~70體積%。當導電粒子120之體積比例過低時，具有作為多數導電粒子120相互面接觸所形成之結合體的導通路之電性連接的信賴性降低的傾向，過高時，電阻值具有因信賴性試驗而容易變動之傾向。
    另一方面，構成介層280之已硬化熱硬化樹脂190係由硬化性樹脂之硬化物所構成。硬化性樹脂沒有特別限定，但具體而言，例如，從耐熱性優異，又，線膨脹率低的觀點來看，環氧樹脂之硬化物特佳。
    介層280中之已硬化熱硬化樹脂190之體積比例為0.1~50體積%、進而為0.5~40體積%。當已硬化熱硬化樹脂190之體積比例過高時，具有電阻值變高之傾向，當過低時，則在製造時具有介層糊110調製困難之傾向。
    如以上所述，本實施形態之製造方法具有下述步驟：準備於表層設置複數第1配線340之核心基板部310、以保護膜220被覆預浸體230之表面、隔著保護膜220形成在預浸體230穿孔且貫通之孔240。進而，具有於孔240填充介層糊110之步驟，介層糊110具有皆為固體之第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150、因第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150而硬化之未硬化樹脂混合物130、及導電粒子120，且第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150之融點皆為40℃以上，且彼此相差在10℃以上、140℃以下之範圍。進而，具有如下步驟：藉剝離保護膜220，使介層糊110之一部份從孔240突出而形成之突出部270露出表面；及於突出部270形成第1配線340，並將銅箔260配置成覆蓋外側之突出部270。
    進而具有步驟是藉將銅箔260壓著於預浸體230之表面且通過突出部270將介層糊110壓縮，藉此設置導電粒子120相互面接觸而形成之面接觸部380之步驟。進而，具有第1加熱步驟，係接續該步驟之加熱步驟，將介層糊110加熱到40℃以上，使未硬化樹脂混合物130與第1潛伏硬化劑140之熱硬化反應開始。進而具有第2加熱步驟，係加熱到比第1加熱步驟更高溫，使預浸體230中之預浸體樹脂370軟化，並且填入複數第1配線340間之間隙320、及第3加熱步驟，係使殘留之未硬化樹脂混合物130與第2潛伏硬化劑150之熱硬化反應開始。
    以下顯示比較例。 (比較例1)
    第17圖~第19圖係說明比較例1之介層糊之狀態的截面模式圖。比較例1之介層糊410係與預浸體230之硬化反應連動而硬化。即，介層糊410所含之熱硬化樹脂400之熱硬化開始溫度與預浸體230之軟化溫度大略一致。
    第17圖中，介層糊410與核心基板部310之間具有間隙320，且為在彼此接觸之前。然後、如箭頭200d所示般進行加壓、加熱、密著，成為第18圖之狀態。
    第18圖係顯示於核心基板部310上，如箭頭200d所示般將介層糊410加壓、加熱、壓著之樣態的截面圖。箭頭200e顯示於介層糊410之一部份(特別為形成有突出部270之部分、或者不因芯材360而妨礙導電粒子120流動之部分)發生之力。藉由箭頭200e，介層糊410之一部份會如輔助線160所示般流動。而且，成為如前述之第24C圖所示之變形介層16。
    第19圖係說明接續於第18圖之步驟之模式截面圖。第19圖中，如箭頭200e所示，介層糊410之一部份如輔助線160所示般流動。而且，成為如前述第24C圖所示之變形介層16。
    第20A圖、第20B圖係顯示比較例1之變形之孔之SEM照片之截面圖及其模式圖。
    如第20A圖、第20B圖所示，使用介層糊410時，介層糊之一部份會如輔助線160所示般大幅變形。 (比較例2)
    第21圖係用以說明比較例2之介層糊之狀態之截面模式圖。比較例2中，係使用比預浸體230加熱並軟化之溫度還低溫而硬化之介層糊430。
    即，介層糊430所含之熱硬化樹脂420之硬化開始溫度比預浸體230之軟化溫度低。
    第21圖中，箭頭200d係顯示加壓方向。箭頭200h係顯示加熱且軟化之預浸體230(進而為已軟化之預浸體樹脂370)流入核心基板部310之間隙320並填入之樣態。箭頭200g係顯示加熱並且軟化之預浸體樹脂370欲使介層糊430變形之力。
    第21圖中，介層糊430之反應開始溫度比預浸體230之軟化溫度(進而為流動開始溫度)低，因此預浸體230在如箭頭200h所示之流動前硬化。其結果，介層糊430會變形，而不會成為第24C圖所示之變形介層16。然而，如第21圖所示，複數之導電粒子120間存在已熱硬化之熱硬化樹脂420，並且具有該熱硬化樹脂420會妨礙導電粒子120之間之電性接觸的可能性。因此比較例2中，介層電阻會變大，而有介層電阻之不均增加的可能性。
    其次，將本實施形態、與比較例1、比較例2之絕緣信賴性比較之結果顯示於[表1]。
    [表1]所示之絕緣信賴性之評價係以鄰接之2個介層間(記載為項目：Via/Via)、及鄰接之孔與配線間(記載為項目：Via/Line)進行。又，彼此之絕緣距離係以0.4mm與0.3mm進行。介層徑係以150μm與100μm進行。再者，評價數係使用設置於外形尺寸600mm之測試基板之複數個測試圖案，並進行複數次。接著令在內部規格之絕緣信賴性結果良好之測試基板為良品○(合格)、幾乎為良品但一部份殘留課題之測試基板為△(有課題)、不滿足內部規格之絕緣信賴性之測試基板為×(不合格)。
    根據[表1]，可知本實施形態與比較例2皆可滿足絕緣信賴性。分析在比較例1絕緣信賴性為×之試作品之內部構造時，係如圖20所示，觀察到介層糊之一部份大幅變形之部分。
    另一方面，觀察本實施形態或比較例2之試作品之內部構造，如第16A圖、第16B圖所示，幾乎沒有發生介層糊110之變形。
    其次將介層電阻所測定之結果顯示於[表2]。
    【表2】
    [表2]中，以4端子法測定介層孔(N=100個)之電阻值，令其平均值小於2mΩ之測試基板為○(合格)、令2~3mΩ為△(提高)、比3mΩ高之測試基板為×(不合格)。又電阻值不均以CV值評價，令CV值小於20%之測試基板為○(合格)、20%以上且小於50%之測試基板為△(不均大)、50%以上之測試基板為×(有課題)。在此，所謂CV值，係以%表示將標準偏差除以平均值之值。
    根據[表2]，可知本實施形態與比較例1皆為介層電阻低、且介層電阻之不均(CV值)也小。認為這是因為本實施形態或比較例1中，如第15圖或第18圖所示，透過複數之導電粒子120相互變形而構成之面接觸部380而於介層280內形成多數導電路徑(或者導電路)之故。另一方面，比較例2中，介層電阻高，進而介層電阻之不均也大之原因是如第21圖所示，在複數之導電粒子120之間硬化之熱硬化樹脂420會對導電粒子120之電性連接造成影響之故。
    其次，更詳細說明使用於介層糊110之各構件。
    第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150使用一液性環氧樹脂用之潛伏硬化劑(有時候也稱為硬化促進劑)是有用的。潛伏硬化劑可使用高沸點活性氫化合物、第3胺‧咪唑鹽、路易士酸‧布氏酸之鹽等。例如，由味之素 有限公司(Ajinomoto Fine-Techno Co.,-Inc.)製之 (AJICURE)(登錄商標)(有胺加成物系、醯肼系、複合系、DICY系等之種類)中選擇是有用的。例如， PN-23(AJICURE PN23)之融點(軟化點)為105℃，MY-24之融點(軟化點)為120℃。又，VDH之融點為120℃，UDH之融點為160℃。
    又，四國化成工業有限公司販賣著各種以咪唑衍生物為基底之潛伏硬化劑(環氧咪唑鹽等)。
    又，亦可使用有限公司T&KTOKA製之(FUJICURE，登錄商標)FXR-1020、FXR-1030、FXR-1081、FXR-1121等。又，亦可使用旭化成有限公司(ASAHI KASEI E-MATERIALS)製之(Novacure，登錄商標)等、胺加成物化合物系。又，亦可使用新日鐵化學等所販賣之活性氫量為210~1050(g/eq)之芳香族胺型、BPA型酚樹脂等。
    再者，潛伏硬化劑之反應未必要在融點顯現。亦可在比融點低之溫度(例如比融點低5℃~20℃左右之溫度)中，開始未硬化樹脂混合物130與硬化反應。積極的使第1潛伏硬化劑140與第2潛伏硬化劑150之融點不同、或者顯現不同之2個發熱尖峰溫度(Tp1、Tp2)、或不同之2個反應開始溫度(Ts1、Ts2)之手段係只要使2個潛伏硬化劑之融點互異即可。
    再者，軟化溫度之測定方法可選擇域克軟化點溫度(Vicat Softening Temperature)(JISK7206、ISO306、ASTMD1525)。試驗方法只要可適當地選擇A-50法、A-120法、B-50法、B-120法等即可。又亦可選擇JISK2207之環球式軟化點試驗法。又，使用附屬於TMA之針式探針，由探針連接於資料之狀態，隨著試料變軟而測定探針填入試料之過程，並可藉由以TMA之圖表為基礎計算來特定軟化點(例如，JISK7196等)。
    又，未硬化樹脂混合物130亦可使用市售之液狀雙酚A型環氧樹脂。液狀雙酚A型環氧樹脂從三菱化學製(或者 有限公司製)之(EPIKOTE，登錄商標)之中選擇適當的品號是有用的。
    再者，導電粒子120從選自於銅粉、鍍銀銅粉等之金屬粉之群中選出之1種以上金屬粉是有用的。
    又，使用於本實施形態之配線基板330之預浸體230之軟化溫度(或者軟化開始溫度)作為比Ts1高溫側(進而為比Tp1高溫側)是有用的。
    又，使用於未硬化樹脂混合物130且互相混合之複數未硬化之環氧樹脂作為官能基互異之未硬化環氧樹脂也是有用的。這是因為官能基愈多(例如，一個分子有3~4個)反應性愈，官能基之數愈少(例如，每一個分子為1個)則反應性愈低之故。如此，可將環氧當量互異之(宜相差為10以上、進而為20、50以上)樹脂互混合來作為未硬化樹脂混合物130，亦可將官能基之數互異之樹脂(宜為相當於一個分子為1個以上、進而為2個以上)互混合來作為未硬化樹脂混合物130。又，環氧當量不同之樹脂與官能基之數不同之樹脂混合也是有用的。再者，混合2種未硬化之環氧樹脂時，宜在重量比為20：80~80：20之比例範圍內(較佳者為40：60~60：40之範圍內)。藉由如此，可提高混合2種(進而為複數)之未硬化之環氧樹脂時之均一性。
    環氧當量400(官能基數為2)左右之樹脂、與環氧當量為90(官能基數3)左右之樹脂以上述之比例混合時，可得到較佳的結果。再者混合複數環氧樹脂時，宜使其中一者比雙酚型環氧樹脂之當量190大，或者官能基數比2大，另一者小於雙酚型環氧樹脂之當量190、或者官能基數小於1是有用的。此種情況下環氧當量差宜為10以上(更進一步為20以上、50以上)。 產業上之利用可能性
    根據本實施形態，可實現使用於携帶電話等之多層配線基板之更進一步低成本化、小型化、高機能化、高信賴性化。
    1‧‧‧保護膜
    2‧‧‧預浸體
    3‧‧‧孔
    4‧‧‧介層孔
    5‧‧‧刮漿板
    6,6b~6d‧‧‧箭頭
    7‧‧‧突出部
    8‧‧‧銅箔
    10‧‧‧絕緣層
    11‧‧‧孔
    12‧‧‧配線
    13‧‧‧核心基板部
    14‧‧‧間隙
    15‧‧‧輔助線
    16‧‧‧變形孔
    110‧‧‧介層糊
    120‧‧‧導電粒子
    130‧‧‧未硬化樹脂混合物
    140‧‧‧第1潛伏硬化劑
    150‧‧‧第2潛伏硬化劑
    160,160a,160b,160c,160d,180a,180b,180c,180d‧‧‧輔助線
    170,170a,170b,170c,170d,170e,170f‧‧‧圖表
    180‧‧‧第1硬化物
    190‧‧‧已硬化熱硬化樹脂
    200,200a,200b,200c,255,200d,200e,200f,200g,200h‧‧‧箭頭
    210‧‧‧平坦區域
    220‧‧‧保護膜
    230‧‧‧預浸體
    240‧‧‧孔
    250‧‧‧刮漿板
    260‧‧‧銅箔
    270‧‧‧突出部
    280‧‧‧孔
    290‧‧‧絕緣層
    300‧‧‧配線
    310‧‧‧核心基板部
    320‧‧‧間隙
    330‧‧‧配線基板
    340‧‧‧第1配線
    350‧‧‧第2配線
    360‧‧‧芯材
    370‧‧‧預浸體樹脂
    380‧‧‧面接觸部
    390‧‧‧已硬化預浸體樹脂
    400‧‧‧熱硬化樹脂
    410‧‧‧介層糊
    420‧‧‧熱硬化樹脂
    430‧‧‧介層糊
    第1圖係說明本發明之實施形態中之介層糊的截面模式圖。
    第2A圖係顯示本發明之實施形態中之介層糊之示差熱量分析(DSC)之測定結果的圖表。
    第2B圖係顯示本發明之實施形態中之介層糊之硬化樣態的截面模式圖。
    第2C圖係顯示本發明之實施形態中之介層糊之硬化之樣態的截面模式圖。
    第2D圖係顯示本發明之實施形態中之介層糊之硬化之樣態的截面模式圖。
    第3A圖係顯示本發明之實施形態中之第1潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之DSC之測定結果的圖表。
    第3B圖係顯示本發明之實施形態中之第2潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之DSC之測定結果的圖表。
    第3C圖係顯示本發明之實施形態中之第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之DSC之測定結果的圖表。
    第4A圖係顯示本發明之實施形態中之第1潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之黏度與溫度之關係的圖表。
    第4B圖係顯示本發明之實施形態中之第2潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之黏度與溫度之關係的圖表。
    第4C圖係顯示本發明之實施形態中之第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑與未硬化樹脂混合物之黏度與溫度之關係的圖表。
    第5A圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第5B圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第5C圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第6A圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第6B圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第6C圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第7A圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第7B圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第7C圖係顯示本發明之實施形態中之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第8圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第9圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第10圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第11圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第12圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第13圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第14圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第15圖係說明本發明之實施形態中之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第16A圖係本發明之實施形態中之孔之SEM照片。
    第16B圖係本發明之實施形態中之孔之上面模式圖。
    第17圖係說明比較例1之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第18圖係說明比較例1之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第19圖係說明比較例1之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第20A圖係顯示比較例1之孔之SEM照片。
    第20B圖係比較例1之孔之上面模式圖。
    第21圖係說明比較例2之介層糊之狀態的截面模式圖。
    第22A圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第22B圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第22C圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第23A圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第23B圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第23C圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第24A圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第24B圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    第24C圖係顯示習知之配線基板之製造方法的截面模式圖。
    110‧‧‧通孔糊
    120‧‧‧導電粒子
    130‧‧‧未硬化樹脂混合物
    140‧‧‧第1潛伏硬化劑
    150‧‧‧第2潛伏硬化劑
    160‧‧‧輔助線
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種配線基板，具有：核心基板部，於表面設有第1配線；第2配線，隔著絕緣層而積層於前述核心基板部上；及介層(via)，填充成於形成於前述絕緣層之孔具有突出部，並且將前述第1配線與前述第2配線電性連接介層糊，前述絕緣層由預浸體之硬化物構成，前述介層由介層糊之硬化物構成，前述介層糊具有：第1、第2潛伏硬化劑；因該第1、第2潛伏硬化劑硬化之未硬化樹脂混合物；及導電粒子，前述第1、第2潛伏硬化劑之軟化溫度皆為40℃以上、200℃以下，且前述第1潛伏硬化劑之軟化溫度與前述第2潛伏硬化劑之軟化溫度相差在10℃以上、140℃以下，前述預浸體在前述第1潛伏硬化劑之前述軟化溫度與前述第2潛伏硬化劑之前述軟化溫度之溫度間軟化，前述介層糊係藉由在前述預浸體之前述孔中黏度上昇硬化，而成為前述介層糊之前述硬化物。
    [2] 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述介層糊在示差熱量分析中，具有第1發熱尖峰溫度及比前述第1發熱尖峰溫度高之第2發熱尖峰溫度，並且前述第1發熱尖峰溫度與前述第2發熱尖峰溫度皆為40℃以上、200℃以下，且前述第1發熱尖峰溫度與前述第2發熱尖峰溫度之差在10℃以上、140℃以下。
    [3] 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述介層糊在示差熱量分析中，具有第1反應開始溫度及比前述第1反應開始溫度高之第2反應開始溫度，並且前述第1反應開始溫度與前述第2反應開始溫度皆為40℃以上、200℃以下，且前述第1反應開始溫度與前述第2反應開始溫度之差在10℃以上、140℃以下。
    [4] 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述介層糊係於50℃以上、180℃以下之溫度區域，具有黏度變化小之平坦區域在5℃以上之範圍。
    [5] 一種配線基板之製造方法，前述配線基板至少具有：核心基板部，於表面設置第1配線；第2配線，係隔著由預浸體之硬化物構成之絕緣層，積層於該核心基板部上；介層，由介層糊之硬化物所構成，該介層糊之硬化物係填充成於形成於為前述絕緣層之前述預浸體之孔具有突出部，且將前述第1配線與前述第2配線電性連接，且前述介層糊具有第1潛伏硬化劑與第2潛伏硬化劑、因前述第1潛伏硬化劑與前述第2潛伏硬化劑而硬化之未硬化樹脂混合物、及導電粒子，前述第1潛伏硬化劑之軟化溫度與前述第2潛伏硬化劑之軟化溫度皆為40℃以上、200℃以下，且前述第1潛伏硬化劑之軟化溫度與前述第2潛伏硬化劑之軟化溫度的差在10℃以上、140℃以下，前述預浸體係在前述第1潛伏硬化劑之前述軟化溫度與前述第2潛伏硬化劑之前述軟化溫度之間軟化，前述介層糊係在前述預浸體之前述孔中黏度上昇並硬化，藉此成為前述介層糊之前述硬化物，前述配線基板之製造方法包含下列步驟：準備步驟，預備前述預浸體；第1步驟，係以保護膜被覆前述預浸體之表面；第2步驟，係隔著前述保護膜於前述預浸體穿孔而形成前述孔；第3步驟，係於前述孔填充前述介層糊，且該介層糊具有：具有互異之硬化開始溫度之前述第1潛伏硬化劑與前述第2潛伏硬化劑、因前述第1潛伏硬化劑與前述第2潛伏硬化劑而硬化之前述未硬化樹脂混合物、及前述導電粒子；第4步驟，係在前述第3步驟後，藉剝離前述保護膜，使前述介層糊之一部份突出而形成之前述突出部從前述貫通孔露出表面；第5步驟，係將銅箔配置於前述預浸體之一面，而覆蓋前述突出部；第6步驟，係設置面接觸部，面接觸部係將前述銅箔壓著於前述預浸體之表面，通過前述突出部而壓縮前述介層糊，藉此前述導電粒子互相面接觸而形成；並具有：第1加熱步驟，係接續於前述第6步驟之加熱步驟，將前述介層糊加熱到40℃以上、200℃以下，使前述未硬化樹脂混合物與前述第1潛伏硬化劑之熱硬化反應開始；第2加熱步驟，係加熱到比前述第1加熱步驟高溫且在200℃以下，使前述預浸體中之預浸體樹脂軟化；及第3加熱步驟，係加熱到比前述第2加熱步驟高溫且在200℃以下，使殘留之前述未硬化樹脂混合物與前述第2潛伏硬化劑之熱硬化反應開始；藉由前述第1步驟到前述第4步驟，形成前述核心基板部，藉由前述第5步驟形成前述第2配線，藉前述第6步驟與之後的前述加熱步驟，形成前述介層。
    [6] 如申請專利範圍第5項之配線基板之製造方法，其中前述介層糊係在示差熱量分析中，具有第1發熱尖峰溫度、及比前述第1發熱尖峰溫度高之第2發熱尖峰溫度，前述第1發熱尖峰溫度與前述第2發熱尖峰溫度皆為40℃以上、200℃以下，且前述第1發熱尖峰溫度與前述第2發熱尖峰溫度之差在10℃以上、140℃以下。
    [7] 如申請專利範圍第5項之配線基板之製造方法，其中前述介層糊係在示差熱量分析中，具有第1反應開始溫度、及比前述第1反應開始溫度高之第2反應開始溫度，前述第1反應開始溫度與前述第2反應開始溫度皆為40℃以上、200℃以下，且前述第1反應開始溫度與前述第2反應開始溫度之差為10℃以上、140℃以下。
    [8] 申請專利範圍第7項之配線基板之製造方法，其中前述第1加熱步驟之前述熱硬化反應係由前述第1反應開始溫度開始。
    [9] 申請專利範圍第7項之配線基板之製造方法，其中前述第3加熱步驟之前述熱硬化反應係由前述第2反應開始溫度開始。
    [10] 申請專利範圍第5項之配線基板之製造方法，其中前述介層糊係在50℃以上、180℃以下之溫度域，具有黏度變化小之平坦區域在5℃以上之範圍。
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